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IXTA6N100D2 IXTP6N100D2
IXTH6N100D2
3.0
Fig. 7. Normalized R DS(on) vs. Junction Temperature
2.6
Fig. 8. R DS(on) Normalized to I D = 3A Value
vs. Drain Current
2.6
2.2
1.8
V GS = 0V
I D = 3A
2.4
2.2
2.0
1.8
T J = 125oC
V GS = 0V
5V - - - -
1.6
1.4
1.4
1.0
1.2
T J = 25oC
1.0
0.6
0.8
0.2
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
16
T J - Degrees Centigrade
Fig. 9. Input Admittance
12
I D - Amperes
Fig. 10. Transconductance
14
12
10
8
6
V DS = 30V
T J = 125oC
25oC
- 40oC
10
8
6
4
V DS = 30V
T J = - 40oC
25oC
125oC
4
2
0
2
0
-4.0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
1.3
V GS - Volts
Fig. 11. Breakdown and Threshold Voltages
vs. Junction Temperature
18
I D - Amperes
Fig. 12. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
V GS = -10V
1.2
V GS(off) @ V DS = 25V
14
12
1.1
1.0
0.9
0.8
BV DSX @ V GS = - 5V
10
8
6
4
2
0
T J = 125oC
T J = 25oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
T J - Degrees Centigrade
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V SD - Volts
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